Bipolartransistor TIP642

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 175 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP642 ist der TIP647.Sie können den Transistor TIP642 durch einen BDX65B, BDX65C, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ4035 oder TIP602 ersetzen.