Bipolartransistor BDT42

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT42

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT42

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT42 ist der BDT41.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT42

Sie können den Transistor BDT42 durch einen BD706, BD708, BD710, BD906, BD908, BD910, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42F, TIP42, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG oder TIP42G ersetzen.
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