Bipolartransistor BDT30AF

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 19 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 75
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F
• Electrically Similar to the Popular BDT30A transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT30AF ist der BDT29AF.Sie können den Transistor BDT30AF durch einen 2N6475, 2N6476, BD708, BD710, BD712, BD908, BD910, BD912, BDT30BF, BDT30CF, BDT42A, BDT42AF, BDT42B, BDT42BF, BDT42C, BDT42CF, D44C10, D44C7, D45C10, D45C7, MJE5170, TIP30A, TIP30AG, TIP30B, TIP30BG, TIP30C, TIP30CG, TIP42A, TIP42AG, TIP42B, TIP42BG, TIP42C, TIP42CF oder TIP42CG ersetzen.