Bipolartransistor BD246A
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD246A
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
- Verlustleistung, max: 80 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des BD246A
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD246A
Equivalent
- TO-220 package, BD244: 65 watts
- TO-220 package, BD244C: 65 watts
- TO-3P package, BD245B: 80 watts
- TO-3P package, BD249: 125 watts
- TO-3P package, BD250A: 125 watts
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