Bipolartransistor BDV66A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDV66A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BDV66A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDV66A ist der BDV67A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDV66A

Sie können den Transistor BDV66A durch einen BDV66B, BDV66C oder BDV66D ersetzen.
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