Bipolartransistor BDW84B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW84B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des BDW84B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW84B ist der BDW83B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW84B

Sie können den Transistor BDW84B durch einen BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BDW84C, BDW84D oder TIP36CA ersetzen.
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