Bipolartransistor BDV66B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDV66B

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BDV66B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDV66B ist der BDV67B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDV66B

Sie können den Transistor BDV66B durch einen BDV66C oder BDV66D ersetzen.

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