Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1230-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 100 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P
Pinbelegung des 2SB1230-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1230-P kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1230 liegt im Bereich von 50 bis 140, die des 2SB1230-Q im Bereich von 70 bis 140.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1230-P-Transistor könnte nur mit "B1230-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1230-P ist der 2SD1840-P.
