Bipolartransistor 2SB1231-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
• Verlustleistung, max: 120 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 50 bis 100
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1231-P kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1231 liegt im Bereich von 50 bis 140, die des 2SB1231-Q im Bereich von 70 bis 140.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1231-P-Transistor könnte nur mit "B1231-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1231-P ist der 2SD1841-P.Sie können den Transistor 2SB1231-P durch einen 2SB1232, 2SB1232-P, BD250C oder TIP36CA ersetzen.