Bipolartransistor BDW84D

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW84D

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 20000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des BDW84D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW84D ist der BDW83D.

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