Bipolartransistor BCW65C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW65C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW65C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW65C kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW65 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW65A im Bereich von 100 bis 250, die des BCW65B im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW65C ist der BCW67C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW65C

Sie können den Transistor BCW65C durch einen BCW66, BCW66H oder FMMT619 ersetzen.
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