Bipolartransistor BCW66H

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 250 bis 630
• Übergangsfrequenz, min: 170 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BCW66H kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW66 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW66F im Bereich von 100 bis 250, die des BCW66G im Bereich von 160 bis 400.Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW66H ist der BCW68H.Sie können den Transistor BCW66H durch einen FMMT619 oder FMMT620 ersetzen.