Bipolartransistor BC850BW

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.2 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 200 bis 450
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Rauschzahl, max: 1.2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-323

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC850BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC850AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC850CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC850W im Bereich von 110 bis 800.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC850BW ist der BC860BW.Sie können den Transistor BC850BW durch einen 2SC4116, BC817W, BC846BW, BC846W, BC847BW, BC847W oder FJX945 ersetzen.