Bipolartransistor BC848BW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC848BW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC848BW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC848BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC848AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC848CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC848W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC848BW ist der BC858BW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC848BW

Sie können den Transistor BC848BW durch einen 2SC4116, BC817W, BC847BW, BC847W, BC849BW, BC849W, BC850BW, BC850W oder FJX945 ersetzen.
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