Bipolartransistor 2SA1312

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1312

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Rauschzahl, max: 0.5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1312

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1312 kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1312-BL liegt im Bereich von 350 bis 700, die des 2SA1312-GR im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1312-Transistor könnte nur mit "A1312" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1312 ist der 2SC3324.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1312

Sie können den Transistor 2SA1312 durch einen 2SA1163, KST93 oder PBHV9115T ersetzen.
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