Bipolartransistor BC846W

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC846W

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 65 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC846W

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC846W kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC846AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC846BW im Bereich von 200 bis 450, die des BC846CW im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC846W ist der BC856W.
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