Bipolartransistor BC847BW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC847BW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC847BW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC847BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC847AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC847CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC847W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC847BW ist der BC857BW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC847BW

Sie können den Transistor BC847BW durch einen 2SC4116, BC817W, BC846BW, BC846W, BC850BW, BC850W oder FJX945 ersetzen.
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