Bipolartransistor BC413C

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 380 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC413C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC413C kann eine Gleichstromverstärkung von 380 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC413 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC413B im Bereich von 180 bis 460.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC413C ist der BC415C.Sie können den Transistor BC413C durch einen BC183, BC184, BC184C, BC237, BC237C, BC414, BC414C, BC547, BC548, BC549 oder BC550 ersetzen.