Bipolartransistor BC549

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC549

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC549

Der BC549 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC549 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC549A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC549B im Bereich von 200 bis 450, die des BC549C im Bereich von 420 bis 800, die des BC549CG im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC549 ist der BC559.

SMD-Version des Transistors BC549

Der BC848 (SOT-23), BC848W (SOT-323), BC849 (SOT-23) und BC849W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC549-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC549

Sie können den Transistor BC549 durch einen BC547, BC548 oder BC550 ersetzen.
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