Bipolartransistor BC413

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 180 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC413 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC413 kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC413B liegt im Bereich von 180 bis 460, die des BC413C im Bereich von 380 bis 800.Der komplementäre PNP-Transistor zum BC413 ist der BC415.Sie können den Transistor BC413 durch einen BC183, BC184, BC237, BC414, BC547, BC548, BC549 oder BC550 ersetzen.