Bipolartransistor BC414B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC414B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 460
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC414B

Der BC414B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC414B kann eine Gleichstromverstärkung von 180 bis 460 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC414 liegt im Bereich von 180 bis 800, die des BC414C im Bereich von 380 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC414B ist der BC416B.

SMD-Version des Transistors BC414B

Der 2SC1623 (SOT-23), 2SD601A (SOT-23), BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23), BC850W (SOT-323) und KSC1623 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC414B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC414B

Sie können den Transistor BC414B durch einen BC182, BC182B, BC237, BC237B, BC337, BC445, BC445B, BC447, BC447B, BC546, BC547 oder BC550 ersetzen.
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