Bipolartransistor BC327-40

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC327-40

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC327-40

Der BC327-40 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC327-40 kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC327 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BC327-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC327-25 im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC327-40 ist der BC337-40.

SMD-Version des Transistors BC327-40

Der 2SA1518 (SOT-23), 2SA1519 (SOT-23), 2SA1520 (SOT-23), 2SA1521 (SOT-23), BC807 (SOT-23), BC807-40 (SOT-23), BC807-40W (SOT-323), BC807W (SOT-323), BCW68 (SOT-23), BCW68H (SOT-23) und BCX17 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC327-40-Transistors.
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