Bipolartransistor BC807-40W
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC807-40W
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 600
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-323
- Electrically Similar to the Popular BC327-40 transistor
Pinbelegung des BC807-40W
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Transistor BC807-40W im TO-92-Gehäuse
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