Bipolartransistor BC337-40

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC337-40

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC337-40

Der BC337-40 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC337-40 kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC337 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BC337-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BC337-25 im Bereich von 160 bis 400.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC337-40 ist der BC327-40.

SMD-Version des Transistors BC337-40

Der 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23), BC817 (SOT-23), BC817-40 (SOT-23), BC817-40W (SOT-323), BC817W (SOT-323), BCX19 (SOT-23) und MMBT6428 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC337-40-Transistors.
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