Bipolartransistor BC178B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC178B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 240 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC178B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC178B kann eine Gleichstromverstärkung von 240 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC178 liegt im Bereich von 125 bis 500, die des BC178A im Bereich von 125 bis 260.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC178B ist der BC108B.

SMD-Version des Transistors BC178B

Der BC858 (SOT-23), BC858B (SOT-23), BC858BW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859B (SOT-23), BC859BW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC178B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC178B

Sie können den Transistor BC178B durch einen BC177, BC177B, BC479, BCY70, BCY71 oder BCY72 ersetzen.
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