Bipolartransistor BC178

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC178

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 125 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC178

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC178 kann eine Gleichstromverstärkung von 125 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC178A liegt im Bereich von 125 bis 260, die des BC178B im Bereich von 240 bis 500.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC178 ist der BC108.

SMD-Version des Transistors BC178

Der BC858 (SOT-23), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC178-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC178

Sie können den Transistor BC178 durch einen BC177, BCY70, BCY71 oder BCY72 ersetzen.
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