Bipolartransistor BC108B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC108B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC108B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC108B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC108 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC108A im Bereich von 110 bis 220, die des BC108C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC108B ist der BC178B.

SMD-Version des Transistors BC108B

Der MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC108B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC108B

Sie können den Transistor BC108B durch einen BC109 oder BC109B ersetzen.
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