Bipolartransistor 2SD895-E

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 85 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
• Verlustleistung, max: 60 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD895-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD895 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD895-D im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD895-E-Transistor könnte nur mit "D895-E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD895-E ist der 2SB775-E.Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD895-E-Transistors.Sie können den Transistor 2SD895-E durch einen 2SC2563, 2SC2578, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC3835, 2SC4278, 2SC4278-E, 2SC4652, 2SC4652-E, 2SD1046, 2SD1046-E, 2SD1047, 2SD1047-E, 2SD1047C, 2SD1288, 2SD1288-Q, 2SD1289, 2SD1289-Q, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD2052, 2SD2052-P, 2SD2053, 2SD2053-P, 2SD731, BD245C, BD249C, BDV95, KTD1047, KTD1047-Y, KTD1047B, KTD1047B-Y oder TIP35CA ersetzen.