Bipolartransistor 2SD895

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD895

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 85 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 60 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD895

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD895 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD895-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD895-E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD895-Transistor könnte nur mit "D895" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD895 ist der 2SB775.

SMD-Version des Transistors 2SD895

Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD895-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD895

Sie können den Transistor 2SD895 durch einen 2SC2563, 2SC2578, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC4278, 2SC4652, 2SD1046, 2SD1047, 2SD1288, 2SD1289, 2SD1717, 2SD2052, 2SD2053, 2SD731, BD245C, BD249C, BDV95, KTD1047, KTD1047B oder TIP35CA ersetzen.
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