Bipolartransistor 2SD1046-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1046-E

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD1046-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1046-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1046 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SD1046-D im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1046-E-Transistor könnte nur mit "D1046-E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1046-E ist der 2SB816-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1046-E

Sie können den Transistor 2SD1046-E durch einen 2SC2563, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC4278, 2SC4278-E, 2SC4652, 2SC4652-E, 2SD1047, 2SD1047-E, 2SD1047C, 2SD1289, 2SD1289-Q, 2SD1717, 2SD1717-P, 2SD1718, 2SD1718-P, 2SD2052, 2SD2052-P, 2SD2053, 2SD2053-P, KTD1047, KTD1047-Y, KTD1047B, KTD1047B-Y, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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