Bipolartransistor 2SB775-E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -85 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
• Verlustleistung, max: 60 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 18 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB775-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB775 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB775-D im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB775-E-Transistor könnte nur mit "B775-E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB775-E ist der 2SD895-E.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB775-E-Transistors.Sie können den Transistor 2SB775-E durch einen 2SA1093, 2SA1106, 2SA1146, 2SA1633, 2SA1633-E, 2SA1788, 2SA1788-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1361, 2SB1361-P, 2SB1362, 2SB1362-P, 2SB695, 2SB816, 2SB816-E, 2SB817, 2SB817-E, 2SB817C, 2SB965, 2SB965-Q, 2SB966, 2SB966-Q, BD246C, BD250C, BDV96, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y oder TIP36CA ersetzen.