Bipolartransistor 2SD1046

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1046

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des 2SD1046

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1046 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1046-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1046-E im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1046-Transistor könnte nur mit "D1046" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1046 ist der 2SB816.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1046

Sie können den Transistor 2SD1046 durch einen 2SC2563, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC2706, 2SC4278, 2SC4652, 2SD1047, 2SD1289, 2SD1717, 2SD1718, 2SD2052, 2SD2053, KTD1047, KTD1047B, MJW3281A oder MJW3281AG ersetzen.
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