Bipolartransistor 2SD330

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD330

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD330

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD330 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD330C liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SD330D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD330E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD330F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD330-Transistor könnte nur mit "D330" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD330 ist der 2SB514.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD330

Sie können den Transistor 2SD330 durch einen 2SC1061, 2SC1418, 2SC1419, 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD313, 2SD613, 2SD823, BD203, BD239A, BD239B, BD239C, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD949, BD951, BD953, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F oder BDX77 ersetzen.
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