Bipolartransistor 2SC1419

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1419

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 35 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SC1419

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC1419 kann eine Gleichstromverstärkung von 35 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1419-A liegt im Bereich von 35 bis 70, die des 2SC1419-B im Bereich von 60 bis 120, die des 2SC1419-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC1419-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1419-Transistor könnte nur mit "C1419" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1419 ist der 2SA755.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC1419

Sie können den Transistor 2SC1419 durch einen 2SC1061, 2SC1418, 2SC2075, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD823, BD203, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809 oder BDX77 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com