Bipolartransistor 2SD1669-Q

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1669-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1669 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1669-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1669-S im Bereich von 140 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1669-Q-Transistor könnte nur mit "D1669-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1669-Q ist der 2SB1136-Q.Sie können den Transistor 2SD1669-Q durch einen 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, 2SC3345, 2SC3345-O, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3709, 2SC3709-O, 2SC3709A, 2SC3709A-O, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SD1062, 2SD1062-Q, BD545A, BD545B, BD545C, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 oder BDT85F ersetzen.