Bipolartransistor 2SC3709A-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3709A-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SC3709A-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3709A-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3709A liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SC3709A-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3709A-O-Transistor könnte nur mit "C3709A-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3709A-O ist der 2SA1451A-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3709A-O

Sie können den Transistor 2SC3709A-O durch einen 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, 2SC3345, 2SC3345-O, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3709, 2SC3709-O, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SD1062, 2SD1062-Q, 2SD1669, 2SD1669-Q, BD545A, BD545B, BD545C, BD707, BD709, BD711, BD743A, BD743B, BD743C, BD907, BD909, BD911, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85 oder BDT85F ersetzen.
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