Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1513-L
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 16 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 270
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SD1513-L
Der 2SD1513-L wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1513-L kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 270 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1513 liegt im Bereich von 135 bis 650, die des 2SD1513-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1513-U im Bereich von 300 bis 650.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1513-L-Transistor könnte nur mit "D1513-L" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1513-L ist der 2SB1068-L.
SMD-Version des Transistors 2SD1513-L
Der BCX68 (SOT-89) und BCX68-16 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD1513-L-Transistors.
