Bipolartransistor 2SD1513

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1513

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 16 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 650
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD1513

Der 2SD1513 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1513 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 650 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1513-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1513-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SD1513-U im Bereich von 300 bis 650.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1513-Transistor könnte nur mit "D1513" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1513 ist der 2SB1068.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1513

Sie können den Transistor 2SD1513 durch einen 2SC3266 oder KTD1146 ersetzen.
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