Bipolartransistor KTC3210

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3210

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KTC3210

Der KTC3210 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3210 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3210O liegt im Bereich von 100 bis 200, die des KTC3210Y im Bereich von 160 bis 320.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3210 ist der KTA1282.

SMD-Version des Transistors KTC3210

Der KTC4375 (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC3210-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3210

Sie können den Transistor KTC3210 durch einen 2SC2328A, 2SC3205, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, KSC2328A oder KTC3205 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com