Bipolartransistor KTC3266

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC3266

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC3266 transistor

Pinbelegung des KTC3266

Der KTC3266 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC3266 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC3266-GR liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KTC3266-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC3266 ist der KTA1296.

SMD-Version des Transistors KTC3266

Der BCX68 (SOT-89) ist die SMD-Version des KTC3266-Transistors.

Transistor KTC3266 im TO-92-Gehäuse

Der 2SC3266 ist die TO-92-Version des KTC3266.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTC3266

Sie können den Transistor KTC3266 durch einen 2SC3266 oder KTD1146 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com