Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1513-U
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 16 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 650
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SD1513-U
Der 2SD1513-U wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1513-U kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 650 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1513 liegt im Bereich von 135 bis 650, die des 2SD1513-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SD1513-L im Bereich von 135 bis 270.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1513-U-Transistor könnte nur mit "D1513-U" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1513-U ist der 2SB1068-U.
SMD-Version des Transistors 2SD1513-U
Der 2SC3443 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD1513-U-Transistors.