Bipolartransistor KTD1146

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 700
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KTD1146 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTD1146 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD1146GR liegt im Bereich von 350 bis 700, die des KTD1146O im Bereich von 120 bis 240, die des KTD1146Y im Bereich von 200 bis 400.