Bipolartransistor 2SC3266

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3266

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 20 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC3266

Der 2SC3266 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3266 kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3266-BL liegt im Bereich von 350 bis 700, die des 2SC3266-GR im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC3266-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3266-Transistor könnte nur mit "C3266" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3266 ist der 2SA1296.

Transistor 2SC3266 im TO-92-Gehäuse

Der KTC3266 ist die TO-92-Version des 2SC3266.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3266

Sie können den Transistor 2SC3266 durch einen KTD1146 ersetzen.
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