Bipolartransistor 2SB881

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB881

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB881

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB881-Transistor könnte nur mit "B881" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB881 ist der 2SD1191.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB881

Sie können den Transistor 2SB881 durch einen 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1224, 2SB1225, 2SB673, 2SB674, 2SB675, 2SB882, 2SB951, 2SB951-P, 2SB951-Q, 2SB951A, 2SB951A-P, 2SB951A-Q, MJF6668, MJF6668G oder TTB1020B ersetzen.
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