Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC828-S
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 260 bis 520
Übergangsfrequenz, min: 220 MHz
Rauschzahl, max: 6 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC828-S
Der 2SC828-S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC828-S kann eine Gleichstromverstärkung von 260 bis 520 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC828 liegt im Bereich von 130 bis 520, die des 2SC828-Q im Bereich von 130 bis 260, die des 2SC828-R im Bereich von 180 bis 360.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC828-S-Transistor könnte nur mit "C828-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC828-S ist der 2SA564-S.
SMD-Version des Transistors 2SC828-S
Der MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC828-S-Transistors.
