Bipolartransistor BC167

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC167

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC167

Der BC167 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC167 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC167A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC167B im Bereich von 200 bis 450, die des BC167C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC167 ist der BC257.

SMD-Version des Transistors BC167

Der BC847 (SOT-23), BC847W (SOT-323), BC850 (SOT-23) und BC850W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC167-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC167

Sie können den Transistor BC167 durch einen 2SC3330, 2SC3331, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, 2SD789, BC182LB oder KTC1006 ersetzen.
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