Bipolartransistor KSC945C

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC945C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC945C

Der KSC945C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC945.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC945C kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC945CG liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC945CL im Bereich von 350 bis 700, die des KSC945CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC945CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSC945CY im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC945C ist der KSA733C.
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