Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2326F
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2326F
Der 2SC2326F wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2326F kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2326 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SC2326G im Bereich von 280 bis 560, die des 2SC2326H im Bereich von 480 bis 960.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2326F-Transistor könnte nur mit "C2326F" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2326F ist der 2SA1016F.
SMD-Version des Transistors 2SC2326F
Der 2SC1622A (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2326F-Transistors.
