Bipolartransistor HSD1609S

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1609 transistor

Der HSD1609S wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSD1609S kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSD1609S-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des HSD1609S-C im Bereich von 100 bis 200, die des HSD1609S-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre PNP-Transistor zum HSD1609S ist der HSB1109S.Sie können den Transistor HSD1609S durch einen 2SC2383, 2SC3228, 2SC3467, 2SC3468, KSC2383 oder KTC3228 ersetzen.