Bipolartransistor NTE382

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE382

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des NTE382

Der NTE382 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE382 ist der NTE383.

SMD-Version des Transistors NTE382

Der FMMT624 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des NTE382-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE382

Sie können den Transistor NTE382 durch einen 2SC2383, 2SC2383-Y, 2SC3228, 2SC3228-Y, KSC2383, KSC2383Y, KTC3228 oder KTC3228Y ersetzen.
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